Mosfet Transistör datasheetlerindeki diğer kriterler?

[Orxan]

İyi Akşamlar.

Önceki konuda paylaştığım resimde şu şu kriterin aşağısında ve ya yukarısında değerde eşdeğer muadil Mosfet Transistör parça seçin diyorlar.
Peki benim kafama yatmayan diğer kriterler neden var datashhetde?
Rica edersem tecrübeli bir teknisyen usta aydınlatabilir mi beni?

Şimdiden teşekkür ederim.

 

[Orxan]

Rica edersem yardımcı olur musunuz?

 

[AG Mehmet]

1. MOSFET lerin Tipi: N-kanal veya P-kanal olabilir. N-kanal MOSFET'ler, (Transistörlerdeki Baz) Gate bacağı pozitif bir gerilim uygulandığında iletim yapar; P-kanal MOSFET'ler ise Gate'i negatif bir gerilim uygulandığında iletim yapar.

2. Maximum Drain-Source Voltage (VDS): Bu, drain ve source uçları arasına uygulanabilecek maksimum gerilimdir ve MOSFET'i zarar görmeksizin çalıştırır.

3. Maximum Gate-Source Voltage (VGS): Gate ve Source uçları arasına uygulanabilecek maksimum gerilimdir ve mosfetin zarar görmemesini sağlar.

4. Threshold Voltage (Vth): Bu, MOSFET'in iletken hale geçtiği Gate-Source gerilimidir. Bu gerilimin altında, MOSFET genellikle kapalı konumdadır.

5. Gate-Source Threshold Voltage Range: Bu, MOSFET'in kapalıdan açık duruma geçtiği aralığı belirtir. MOSFET'ler için, iletken hale geçmeye başladığı yerdir.

6. On-State Drain Current (ID(on)): MOSFET tamamen açık durumdayken akabilecek maksimum akımdır.

7. Drain-Source On-State Resistance (RDS(on)): Bu, MOSFET tamamen iletken olduğunda Drain ve Source terminalleri arasındaki dirençtir. Düşük RDS(on) değerleri daha iyi iletkenlik ve daha az güç kaybı anlamına gelir.

8. Gate Charge (Qg): MOSFET'in kapalıdan açığa veya tersi duruma geçmesi için gereken elektrik şarj (Q) miktarıdır. Düşük Gate şarjı genellikle daha yüksek anahtarlama hızları anlamına gelir.

9. Total Gate Charge (Qg(total)): Bu, MOSFET'in anahtarlama için gereken toplam şarjı (Q) ifade eder ve Gate-Source ve Gate-Drain şarjlarını içerir.

10. Input Capacitance (Ciss): Bu, MOSFET'in giriş terminalleri arasındaki kapasitansı temsil eder ve Gate gerilimindeki değişimlere yanıt verme süresini etkiler.

11. Output Capacitance (Coss): Bu, çıkış terminalleri arasındaki kapasitansı temsil eder ve anahtarlama hızlarını ve genel performansı etkiler.

 

[Orxan]

1. MOSFET lerin Tipi: N-kanal veya P-kanal olabilir. N-kanal MOSFET'ler, (Transistörlerdeki Baz) Gate bacağı pozitif bir gerilim uygulandığında iletim yapar; P-kanal MOSFET'ler ise Gate'i negatif bir gerilim uygulandığında iletim yapar.

2. Maximum Drain-Source Voltage (VDS): Bu, drain ve source uçları arasına uygulanabilecek maksimum gerilimdir ve MOSFET'i zarar görmeksizin çalıştırır.

3. Maximum Gate-Source Voltage (VGS): Gate ve Source uçları arasına uygulanabilecek maksimum gerilimdir ve mosfetin zarar görmemesini sağlar.

4. Threshold Voltage (Vth): Bu, MOSFET'in iletken hale geçtiği Gate-Source gerilimidir. Bu gerilimin altında, MOSFET genellikle kapalı konumdadır.

5. Gate-Source Threshold Voltage Range: Bu, MOSFET'in kapalıdan açık duruma geçtiği aralığı belirtir. MOSFET'ler için, iletken hale geçmeye başladığı yerdir.

6. On-State Drain Current (ID(on)): MOSFET tamamen açık durumdayken akabilecek maksimum akımdır.

7. Drain-Source On-State Resistance (RDS(on)): Bu, MOSFET tamamen iletken olduğunda Drain ve Source terminalleri arasındaki dirençtir. Düşük RDS(on) değerleri daha iyi iletkenlik ve daha az güç kaybı anlamına gelir.

8. Gate Charge (Qg): MOSFET'in kapalıdan açığa veya tersi duruma geçmesi için gereken elektrik şarj (Q) miktarıdır. Düşük Gate şarjı genellikle daha yüksek anahtarlama hızları anlamına gelir.

9. Total Gate Charge (Qg(total)): Bu, MOSFET'in anahtarlama için gereken toplam şarjı (Q) ifade eder ve Gate-Source ve Gate-Drain şarjlarını içerir.

10. Input Capacitance (Ciss): Bu, MOSFET'in giriş terminalleri arasındaki kapasitansı temsil eder ve Gate gerilimindeki değişimlere yanıt verme süresini etkiler.

11. Output Capacitance (Coss): Bu, çıkış terminalleri arasındaki kapasitansı temsil eder ve anahtarlama hızlarını ve genel performansı etkiler.

Çok teşekkür ederim Hocam bilgi için.
Benim tam olarak bilmek isteğim Muadil seçerken dikkate almadığınız özellikler kriterler önemli değilse neden datasheete yazmışlar?

 

[AG Mehmet]

Datasheet özellikle muadil için değil ""dizayn" için yazılır.
Kullanıcılar, muadil seçerken devrenin dizaynına ve max ve min özellilerine göre seçer. Önce voltajı, akımı Rdson direncini, hızını ve diğerlerni dikkate alarak seçim yapılır.

 

[Muhsin Kamer]

1. MOSFET lerin Tipi: N-kanal veya P-kanal olabilir. N-kanal MOSFET'ler, (Transistörlerdeki Baz) Gate bacağı pozitif bir gerilim uygulandığında iletim yapar; P-kanal MOSFET'ler ise Gate'i negatif bir gerilim uygulandığında iletim yapar.

2. Maximum Drain-Source Voltage (VDS): Bu, drain ve source uçları arasına uygulanabilecek maksimum gerilimdir ve MOSFET'i zarar görmeksizin çalıştırır.

3. Maximum Gate-Source Voltage (VGS): Gate ve Source uçları arasına uygulanabilecek maksimum gerilimdir ve mosfetin zarar görmemesini sağlar.

4. Threshold Voltage (Vth): Bu, MOSFET'in iletken hale geçtiği Gate-Source gerilimidir. Bu gerilimin altında, MOSFET genellikle kapalı konumdadır.

5. Gate-Source Threshold Voltage Range: Bu, MOSFET'in kapalıdan açık duruma geçtiği aralığı belirtir. MOSFET'ler için, iletken hale geçmeye başladığı yerdir.

6. On-State Drain Current (ID(on)): MOSFET tamamen açık durumdayken akabilecek maksimum akımdır.

7. Drain-Source On-State Resistance (RDS(on)): Bu, MOSFET tamamen iletken olduğunda Drain ve Source terminalleri arasındaki dirençtir. Düşük RDS(on) değerleri daha iyi iletkenlik ve daha az güç kaybı anlamına gelir.

8. Gate Charge (Qg): MOSFET'in kapalıdan açığa veya tersi duruma geçmesi için gereken elektrik şarj (Q) miktarıdır. Düşük Gate şarjı genellikle daha yüksek anahtarlama hızları anlamına gelir.

9. Total Gate Charge (Qg(total)): Bu, MOSFET'in anahtarlama için gereken toplam şarjı (Q) ifade eder ve Gate-Source ve Gate-Drain şarjlarını içerir.

10. Input Capacitance (Ciss): Bu, MOSFET'in giriş terminalleri arasındaki kapasitansı temsil eder ve Gate gerilimindeki değişimlere yanıt verme süresini etkiler.

11. Output Capacitance (Coss): Bu, çıkış terminalleri arasındaki kapasitansı temsil eder ve anahtarlama hızlarını ve genel performansı etkiler.

@AG Mehmet ayrıntılı açıklama olmuş, teşekkürler