Klavyeah
Üye
- Katılım
- 28 Ağu 2006
- Mesajlar
- 269
- Puanları
- 1
- Yaş
- 39
Alan Etkili Transistör (FET)
FET transistörlerin kullanılması için ilk öneriler 1955 li
yıllara dayanmaktadır. Fakat o zaman ki üretim teknolojileri
bilim adamlarının kafalarında oluşanları üretime yansıtacak
kadar yeterli değildi. Bu nedenle FET transistörlerin
yapımları ve kullanımları daha sonralara kaldı.
FET transistörler iki farklı ana grupta üretilmektedir.
Bunlardan birincisi JFET (Junction Field Effect Transistör)
yada kısaca bilinene adı ile FET, ikincisi ise MOSFET (
Metal Oxcide Silicon Field Effect Transistör) yada daha
az bilinen adı ile IGFET (Isolated Gate Field Effect Transistör).
Transistör yada BJT Transistör iki taşıyıcı grubu ile
çalışmakta idi. Örneğin NPN bir transitörün emitöründen
giren elektronlar emitör içinde çoğunluk taşıcısı olmaktadır.
Sonra P tipi beyz içinden geçerken azınlık taşıyıcısı olmakta,
en son N tipi kollektörden geçerken tekrar çoğunluk
taşıyıcısı olmaktadır.
FET içinde ise elektronlar sadece N tipi yada P tipi madde
içinden geçmektedir. Sadece çoğunluk taşıyıcıları ile
çalışmaktadır. Bu nedenle yapısal farklılığı vardır.
Ayrıca en önemli kullanım özelliklerinden biride giriş
dirençleri çok yüksektir. Bu nedenle bağlandıkları devreleri
yüklemezler.
Az gürültü ürettikleri için giriş devreleri için tercih edilirler.
İki tip FET i ayrı ayrı inceleyelim.
Anlatımlarımda sadece N kanal JFET i kullanacağım.
P kanal JFET, N kanal JFET in çalışması ile aynı olup
beslemelerin polariteleri ile N ve P maddelerin yerleri
değişmektedir.
Ortadaki N maddesinin bir ucu D (drain – akaç) diğer ucu
ise S (source – kaynak) olarak adlandırılır. Ortadaki bu
parça aynı zamanda kanal – channel olarak adlandırılır.
Kanalın alt üst kısımlarındaki P tipi parçalar birleştirilmiş
olup G (gate – kapı) olarak adlandırılır.
Yukarıdaki şekle bakarsanız. VDD kaynağının negatif ucu
source ucuna, pozitif ucu drain ucuna bağlanmıştır. Bu
nedenle akacak olan ID akımı drain den source ye doğrudur.
VGG kaynağının eksi ucu P maddesinden yapılmış olan
gate ye, artı ucu ise source ye bağlanmıştır. Yani gate ve
kanal ters polarmalanmıştır. Bu sebepten gate akımı
IG =0 olacaktır.
Şimdi VGG voltajının 0V olduğunu düşünelim. O zaman
VDD voltajının oluşturduğu akım ID, drainden source ye
doğru ve maksimum olarak akacaktır. ID akımını sınırlayan
sadece kanalın kesitidir. Bu kesit yada hacim de kadar
büyük olursa ID akımı da o kadar büyük olarak akacaktır.
Şimdi VGG voltajını biraz pozitif olarak arttıralım. O zaman
P maddesinden yapılmış gate ile N maddesinden yapılmış
olan kanal ters polarmalanacaktır. P maddesindeki boşluklar
VGG kaynağından gelen elektronlarla doldurularak gate
etrafında (p maddesi etrafında) bir yayılma alanı yaratacaktır.
Gate ile source arasında sadece VGG voltaj kaynağı olduğu
için gate – source arasında sadece VGG nin yaratığı ters
polarizasyon, gate ile drain arasında VGG + VDD kaynağı
olduğu için source - drain arasındaki ters polarizayson
VGG + VDD kadar olacaktır. Bu sebepten yayılmanın
profili source trafında daha az, drain tarafında daha fazla
olacaktır. Bu yayılma kanalı daralttığı için ID akımı
azalacaktır. VGG voltajını daha da arttırırsak alan iyice
yayılarak bütün kanalı kapatır ve ID akımı sıfır olur. ID
akımını sıfır yapan VGG voltajına Pinchoff voltajı Vp denir.
devamı ektedir.
FET transistörlerin kullanılması için ilk öneriler 1955 li
yıllara dayanmaktadır. Fakat o zaman ki üretim teknolojileri
bilim adamlarının kafalarında oluşanları üretime yansıtacak
kadar yeterli değildi. Bu nedenle FET transistörlerin
yapımları ve kullanımları daha sonralara kaldı.
FET transistörler iki farklı ana grupta üretilmektedir.
Bunlardan birincisi JFET (Junction Field Effect Transistör)
yada kısaca bilinene adı ile FET, ikincisi ise MOSFET (
Metal Oxcide Silicon Field Effect Transistör) yada daha
az bilinen adı ile IGFET (Isolated Gate Field Effect Transistör).
Transistör yada BJT Transistör iki taşıyıcı grubu ile
çalışmakta idi. Örneğin NPN bir transitörün emitöründen
giren elektronlar emitör içinde çoğunluk taşıcısı olmaktadır.
Sonra P tipi beyz içinden geçerken azınlık taşıyıcısı olmakta,
en son N tipi kollektörden geçerken tekrar çoğunluk
taşıyıcısı olmaktadır.
FET içinde ise elektronlar sadece N tipi yada P tipi madde
içinden geçmektedir. Sadece çoğunluk taşıyıcıları ile
çalışmaktadır. Bu nedenle yapısal farklılığı vardır.
Ayrıca en önemli kullanım özelliklerinden biride giriş
dirençleri çok yüksektir. Bu nedenle bağlandıkları devreleri
yüklemezler.
Az gürültü ürettikleri için giriş devreleri için tercih edilirler.
İki tip FET i ayrı ayrı inceleyelim.
Anlatımlarımda sadece N kanal JFET i kullanacağım.
P kanal JFET, N kanal JFET in çalışması ile aynı olup
beslemelerin polariteleri ile N ve P maddelerin yerleri
değişmektedir.
Ortadaki N maddesinin bir ucu D (drain – akaç) diğer ucu
ise S (source – kaynak) olarak adlandırılır. Ortadaki bu
parça aynı zamanda kanal – channel olarak adlandırılır.
Kanalın alt üst kısımlarındaki P tipi parçalar birleştirilmiş
olup G (gate – kapı) olarak adlandırılır.
Yukarıdaki şekle bakarsanız. VDD kaynağının negatif ucu
source ucuna, pozitif ucu drain ucuna bağlanmıştır. Bu
nedenle akacak olan ID akımı drain den source ye doğrudur.
VGG kaynağının eksi ucu P maddesinden yapılmış olan
gate ye, artı ucu ise source ye bağlanmıştır. Yani gate ve
kanal ters polarmalanmıştır. Bu sebepten gate akımı
IG =0 olacaktır.
Şimdi VGG voltajının 0V olduğunu düşünelim. O zaman
VDD voltajının oluşturduğu akım ID, drainden source ye
doğru ve maksimum olarak akacaktır. ID akımını sınırlayan
sadece kanalın kesitidir. Bu kesit yada hacim de kadar
büyük olursa ID akımı da o kadar büyük olarak akacaktır.
Şimdi VGG voltajını biraz pozitif olarak arttıralım. O zaman
P maddesinden yapılmış gate ile N maddesinden yapılmış
olan kanal ters polarmalanacaktır. P maddesindeki boşluklar
VGG kaynağından gelen elektronlarla doldurularak gate
etrafında (p maddesi etrafında) bir yayılma alanı yaratacaktır.
Gate ile source arasında sadece VGG voltaj kaynağı olduğu
için gate – source arasında sadece VGG nin yaratığı ters
polarizasyon, gate ile drain arasında VGG + VDD kaynağı
olduğu için source - drain arasındaki ters polarizayson
VGG + VDD kadar olacaktır. Bu sebepten yayılmanın
profili source trafında daha az, drain tarafında daha fazla
olacaktır. Bu yayılma kanalı daralttığı için ID akımı
azalacaktır. VGG voltajını daha da arttırırsak alan iyice
yayılarak bütün kanalı kapatır ve ID akımı sıfır olur. ID
akımını sıfır yapan VGG voltajına Pinchoff voltajı Vp denir.
devamı ektedir.
Moderatör tarafında düzenlendi:
