Şebeke olmadığında ups teki gibi aküden beslemeyi sağlamak?

  • Konbuyu başlatan Konbuyu başlatan rsimsek
  • Başlangıç tarihi Başlangıç tarihi
@by lent, role ile paralel uygun değerde bir kondansatör ile söylediğiniz şekilde role boşluğu alınabilir. Fakat ben verdiğim adı üzerindeki dc yedekleme devrelerinde role kullanılmamış. Bana da sadece diyotlarla yönlendirilerek daha sade bir devre olması hesabıyla daha mantıklı geliyor. Sonuçta devreyi yapınca doğruluğunu sınamış olacağım. Doğru ve istediğim gibi çalışıp çalışmadığını bildiririm.

Geç olsun güç olmasın, cevapsız kalmasın.;)

Halen sonuçlanmayan MOSFET ile benzer bir çalışmam var.
 
Son düzenleme:
EDN Magazin'i severim.
Daha rahat değerlendirmek için devre anlatımının Türkçe çevirisini ekledim:

N-kanallı ve P-kanallı MOSFET kullanarak, devrenin bir kısmını izole etmek ve geri kalanı kapalıyken bekleme çalışması için ikincil bir beslemeden çalıştırmak üzere kolayca tek kutuplu çift atmalı (SPDT) bir anahtar gerçekleştirebilirsiniz (Şekil 1). Tamamlayıcı bir çift kullanarak, MOSFET’ler için tek bir kontrol girişi kullanabilirsiniz. Bu topolojide kullanılan bir Si4501DY MOSFET, ana eleman için 5A akımda 0,1V’tan daha az gerilim düşümü gösterir ve her iki MOSFET’i de bir SO-8 paketinde barındırır. 2N7002 veya benzeri bir kontrol MOSFET’i gate’leri birbirine bağlayıp toprağa çektiğinde, p-kanallı MOSFET iletime geçer. 2N7002 kapatıldığında gate’ler besleme hattının üzerine çekilir ve bu durumda n-kanallı MOSFET iletime geçer.
p-kanallı MOSFET’in gate’inin, source potansiyelinin üzerine çekilmesi ise hiçbir etki yaratmaz; MOSFET düşük kaçak akımla kapalı kalır.

Ortaya çıkan anahtar, “bağlamadan önce ayır” (break-before-make) konfigürasyonundadır; bu, ikincil ya da sürekli açık beslemenin asla tüm devreyi beslemek zorunda kalmaması için gereklidir. Ancak MOSFET’lerin hızlı anahtarlamasından dolayı, çalışma gerilimini korumak için normal tasarım kuralları dışında ek kapasitans eklemeye gerek yoktur.

Devredeki n-kanallı elemanın düzenlenişi, alt devre izole durumdayken iç diyotun iletime geçmesini engeller. Bu yönde, n-kanallı MOSFET aynı zamanda diyot üzerinden devrenin gücü için emniyetli bir akış yolu sağlar. p-kanallı MOSFET’in diyotunun ileri yöndeki gerilim düşümü ise, iki beslemenin gerilimlerinin yakın olduğu varsayımıyla, herhangi bir akımın ikincil beslemeye geri akmasını (back-feeding) engeller.
 
Son düzenleme:
Arkadaşlar daha önce de kafa yorduğum, tek bir P-Kanal MOSFET ile aşağıdaki yedeklemeli güç devresini yaptım ve breadboard/deneme tahtası üzerine kurdum ve çalıştırdım.
Şebeke/ana beslemesi devredeyken yedek/akü-batarya beslemesinden de 10mA kadar akım sızıntısı oluyor. Yukarıda paylaşılan 3 mosfetli edn örneğinde de sızıntı var sanıyorum.

En az elemanla oluşturulan bu devrede ustatların önerebileceği bir şey var mı?

Bariyer diyotlardan dolayı yük çıkışında belli bir gerilim düşüşü olmaktadır. Dolaysıyla hem şebenin hem de yedek beslemenin gerilimini ona göre ayarlamak gerekiyor. Ya da çıkışa bir adet uygun güçte dc-dc regülatör daha sağlıklı olabilir. Çünkü yedek besleme devredeyken, deşarj oldukça yük-çıkış gerilimi 12 volt'un altına düşecektir.
Şebeke bildirim led'i ve yedek besleme led'i durumu bildirmek açısından faydalı olacaktır kanaatindeyim.

Yedek beslemenin şarjını şebeke kaynağından yaptım. Harici bir şekilde, lityum tabanlı ise BMS modülü üzerinden, kurşun tabanlı ise aşırı şarj ve aşırı deşarj kontrollü bir devre ile şarj edilebilir.

Mosfet: IRF9Z34 P-Kanal 18A 60V.

Yararlandığım örnek burada.

Şebeke varken;
1759155964801.webp

Şebeke yokken, yedek besleme devrede;
1759155979593.webp

Ana kaynak önündeki anahtar, şebeke kesimini simüle etmek içindir.

Devrenin simülasyonu;

https://www.falstad.com/circuit/cir...A0iYph5PocwGPo3xaJwymaCAQwspAw5EeA6DVBiyScEAA

P-KANAL MOSFET'in Gate'i 10k pulldown direnç ile 0 volt'a çekiliyor ki, P-kanal mosfet iletimdedir. Bu halde yedek besleme, yükü beslemektedir. Şebeke beslemesi devreye girdiğinde ise, doğrudan artı besleme Gate'e bağlanarak mosfet kesime gidiyor, ana besleme, yükü besliyor.
 
Son düzenleme:
Diyotta çekilen amper kadar vat kaybolacak mosfette ilave kayıplar. Başvurunuz olumsuz mu sonuçlandı.
 
Diyot üzerinde tipine göre gerilim düşüşü var. Gerilim düşüşü çarpı geçen akım kadar güç/watt ısı olarak kayıp olur.
Mosfet'te de tam açık hale getirecek gerilim seviyesi yoksa geçen akım yeterli olmayacaktır. Gerekli akımın üzerinde mosfet seçilerek bu durum tölere edilebilir.
 
Solar panel ile şarj olan akülerden beslenen fenerler var bizde. Bunlarda regülatörlü şarj cihazı kullanıyoruz. Hazır cihaz kullanmak isterseniz Tommatech gibi kaliteli markalar var.
 

Forum istatistikleri

Konular
133,483
Mesajlar
971,771
Kullanıcılar
459,510
Son üye
Kaganerkek
Geri
Üst