buldum galiba birşeyler ..
İlk önce N tipi silisyum yarıiletkenin mat yüzeyine, Au (24 ayar) metali omik kontak
yapıldı. Bunun için ısıtıcı pota %10 seyreltiklikte HCL asit ve sonrasında iyonize su ile
önce yıkanıp temizlendikten sonra N2 gazı ile kurutuldu. Daha sonra vakum buharlaştırma
cihazının pota bölümüne Au, cihazın üst bölümüne ise yarıiletken N tipi silisyum
numunesi mat yüzeyi yukarıda kalacak şekilde yerleştirildi. Yarıiletken numune 5x10-6
torr basınca alınarak mat yüzeyine Au metali sonrasında pyrene materyali buharlaştırıldı.