LED Striplerin anahtarlama esnasında kapasitif ve endüktif etkisi

[isoment01]

arkadaşlar selamlar aşağıda LTspice'da simülasyonunu ve IRFB4110'nun drainindeki gerçekteki olan osiloskop görüntüsünü verdiğim bir devrem var. Low side switching yaparak led strip grubunu sürüyorum.
Giriş değerleri = 18-36VDC ; Nominal :28VDC
Yük=0-16A LED stripler
kullanılan yükü anahtarlayan mosfet = IRFB4110
IRFB'yi sürmek için kullanılan mosfetler = BSS138N (İşlemci çıkışından gelen 0-3.3V arası PWM sinyalleri burada yükseltilip esas yükü anahtarlayan mosfetin GATE'ini anahtarlıyor.)

Sorunum şu:
1-) IRFB'nin draininde normalde 0-28VDC görmem gerekirken gerçekte 0-11VDC görüyorum. Mosfet anahtarı açık (akım akmaz) durumda iken bir voltage drop görüyorum. Yüke paralel reoasta bağlayınca bu sorun ortadan kalkıyor.
2-) Mosfet anahtar açık duruma geçtiğinde ise spikelar ve ringler oluşuyor. Yük 5-6A'e çıktığında bu spikelar 100VDC seviyelerine çıkıyor.
Bu durumu nasıl çözebilirim ? 1. durum çalışmada saptadığım bir etkisi yok iken, 2. durum sorun teşkil ediyor.
Yardımlarınızı bekliyorum.

 

[kesmez]

diğer malzemelerin dosyaları eksik açılmıyor.

 

[mehmet.bey]

2. için;
yüke ters paralel uygun akım ve
gerilimde hızlı diyot ilave edin.
İkinci olarak gate direncini
biraz yükseltin. Yükselme rampası
kırılsın. Ancak bu durumda lineer
bölgede kalma zamanı artacagı
için mos ısınacak. Bu oranı iyi
ayarlamak lazım.

 

[isoment01]

diğer malzemelerin dosyaları eksik açılmıyor.

hocam pdf attım.

2. için;
yüke ters paralel uygun akım ve
gerilimde hızlı diyot ilave edin.
İkinci olarak gate direncini
biraz yükseltin. Yükselme rampası
kırılsın. Ancak bu durumda lineer
bölgede kalma zamanı artacagı
için mos ısınacak. Bu oranı iyi
ayarlamak lazım.

hocam yüke paralel schottky koyuyorum. Zaten o yükün schottky üzerinden boşalması lazım ama schottky çalışmıyor neden olabilir ? 100-110VDC peaklerde bile etkisiz.

 

[mehmet.bey]

* V2 gerilimi nedir?
* Diyot yeterince hızlı değildir.
* PWM frekansınız nedir?
* Mosfet gate bacağında bir direnç
10R - 100R arası olabilir.> ve bu
dirence ters paralel 4148 gibi bir
diyot bağlanabilir.

Yani yavaş açıp hızlı kapatma gibi
düşünülebilir.

 

[isoment01]

* V2 gerilimi nedir?
* Diyot yeterince hızlı değildir.
* PWM frekansınız nedir?
* Mosfet gate bacağında bir direnç
10R - 100R arası olabilir.> ve bu
dirence ters paralel 4148 gibi bir
diyot bağlanabilir.

Yani yavaş açıp hızlı kapatma gibi
düşünülebilir.

V2'yi işlemcimin pwm bacağı olarak düşünüp 0-12V arası pwm verdim. Frekansım 800hz. Diyot şu an ES1G var. PWM hızımda düşük yani. Son dediğiniz direnç ve ters diyot mantığını push-pull mosfet driverlarda görüyorum bunun yapmaktaki amaç nedir ?

 

[mehmet.bey]

Kontak sıcramasını engellemek için
yapılır. Ancak dediğim gibi direnç
uygun seçilmeli. Mosfet lineer bölgede
fazla kalmamalı ve kontak sıçraması da
olmamalı.
Bu gerçek devre mi yoksa sadece
simülasyon mu?

 

[isoment01]

Gerçek devrenin simülasyonu size mosfetin Toff zamanında gerçekleşen ringingi ve peak'i de göstereyim.
Mavi %50 duty.
24Vdc'de görülen pickler 32 volt kadar.
Pick'i detaylı inceleyince ringing de görülüyor.

 

[mehmet.bey]

Ölçüm noktalarınız nerelerden?

 

[isoment01]

Ölçüm noktalarınız nerelerden?

mosfetin draini ve gate'i