P kanal mosfetin gate ucunda ciddi salınımlar

Buck converter devresi üzerine çabalıyorum, şuanda %70 verimlere ulaştım , güç girişi 24 volt güneş panelinden alıyorum , güç kaynağından alarak ta denedim fakat devrenin çıkışına yük bagladigimda, resimdeki gibi halojen bir ampul , mosfetin gate ucunda 50 voltlara kadar çıkan salınım görüyorum, ve sunuda fark ettim , salınım esnasında güç kaynağından gelen voltajda multimetre ile olculemiyor hiç anlam veremedim
Bundan dolayı mosfette kayıplar ciddi anlamda artıyor
Gate ucundaki p kanal mosfetin kapanma esnasındaki görüntüsü

WattMan' Alıntı:

şuanda %70 verimlere ulaştım

Genişletmek için tıkla ...

Verimi nasıl anlıyor ve ölçüyorsunuz merak ettim .

Under Ground' Alıntı:

Verimi nasıl anlıyor ve ölçüyorsunuz merak ettim .

Genişletmek için tıkla ...

Gate şarj direncini bir miktar yukseltigimde osilasyon ciddi anlamda düzeliyor ve giriş çıkış watt larini hesaplayarak, düşünceniz mevcut sanırım?

Fakat şarj direncini düşürünce osilasyon başlıyor ve anahtar kayiplari inanilmaz artıyor

WattMan' Alıntı:

Gate şarj direncini bir miktar yukseltigimde osilasyon ciddi anlamda düzeliyor ve giriş çıkış watt larini hesaplayarak, düşünceniz mevcut sanırım?

Fakat şarj direncini düşürünce osilasyon başlıyor ve anahtar kayiplari inanilmaz artıyor

Genişletmek için tıkla ...

Kurduğunuz devrenin şemasını atmanız mümkün mü acaba ? Ben elektronik konusunda amatörüm ama başka uzman arkadaşlar yorum yapabilir .

Diyod uclarina ya da drain source bacagi arasina C yada seri RC eklemeyi denediniz mi?

Bunalmis' Alıntı:

Diyod uclarina ya da drain source bacagi arasina C yada seri RC eklemeyi denediniz mi?

Genişletmek için tıkla ...

Denedim malesef aynı sonuç, çıkış akımı artıyor fakat osilasyon devam ediyor

Bir yerde kacak kapasitans var ve enduktans ile cinliyor. Belki de enduktansiniz cok kotu sarildi ve bolca kacak kapasite olustu. Semanizi gormek lazim.

İlgili dökümanlara erişebilmeniz içim. konunun ingilizce adı:

Parasitic Oscillation and Ringing of Power Mosfet.

Googla aratabilirsiniz.
İlk sıralarda Toshiba uygulama notu çıkar (aşağıya ekledim)

Kısaca şöyle diyor
"Switching" uygulamalarında MOSFET'in parazitik osilasyonu ve "Ringing" oluşur .
Gate gerilimindeki Osilasyon ve Ringing, hatalı anahtarlamalara, güç kayıplarının artmasına ve MOSFET'in kalıcı olarak zarar görmesine neden olabilir.

MOSFET'in Osilasyon ve Ringing yapmasının başlıca nedenleri şunlardır:
Osilasyon devresinin oluşması
Devrede bir osilasyon ağı oluşabilir ve bu, MOSFET'in parazitik osilasyonuna yol açar.

"Drain ve "Source" arasındaki aşırı gerilim
Kapanma "Turn Off" sırasında Drain ve Source arasındaki Ringing gerilimi, gate-drain kapasitansı (Cgd) üzerinden pozitif geri besleme döngüsü oluşturarak gate terminaline geri dönebilir ve gate geriliminin Osilasyon yapmasına neden olabilir.

"Source" endüktansı
Kapanma sırasında Drain-Source akımının (di/dt) oluşturduğu gerilim ile Source bağlantısındaki ve kablolardaki kaçak endüktanslar, MOSFET'in gate-source döngüsünü LCR rezonansına sokabilir.
("Source" endüktansının neden olduğu Ringing)

Başka faktörler de Osilasyon ve Ringing'e yol açabilir, ancak MOSFET kullanırken kaçak "Stray" endüktans en önemli etkendir.

qgs daha düşük bir mosfet kullanın.

Devreye snubber eklemeyi deneyin