Intel, 2014 yılında sunucularda DDR4 kullanmaya başlayacak

binbaşı

Onursal Üye
Onursal Üye
Katılım
1 Eyl 2011
Mesajlar
6,205
Puanları
3,256
Konum
BURSA
samsung-ddr4.jpg


DDR4 belleklerin tasarımının 2011 yılında bitmesi ve bu belleklerin 2012′de seri üretime girmesi bekleniyordu. Ancak planlar ve tasarımlar değiştiği için yeni bellek standardının 2014 yılından önce kullanılmaya başlamayacağı ortaya çıktı. Intel, 2014 yılından itibaren DDR4 bellekleri üst sınıf sunucularda kullanacak ve bu teknoloji ile çok çekirdekli, çok soketli makinaların avantajları da daha belirgin hale gelecek.

Intel yeni bellek standardını istemci makinaların işlemcilerinde desteklemeye zaten başladı. Yüksek performans ve düşük güç tüketimi ve yeni mimariye sahip DDR4 desteği ile Xeon Xeon EX/Haswell-EX platformarı kurumsal çözümlerde kullanılacaklar. Haswell-EX platformu 12-14 çekirdekli işlemcilerle desteklenecek, düşük güç tüketimi ve yüksek bellek bant genişliği ve geniş bellek kapasitesi ile DDR3 belleklerin sunamayacağı bir performans getirecek.

Intel’in 2013-2014 planları arasında bulunan Haswell, Rockwell/Broadwell platformları DDR3 ile çalışmaya devam edecek. 4 çekirdekli ve tümleşik grafik motoru ile orta sınıf uygulamalar için yeterli bant genişliğine sahip olacak bu platformlar özellikle bütünleşik RAM ve L4 cache gibi ayarlarla ihtiyaçları karşılayabilecekler.

2015-2016 döneminde ise Intel Skylake ve Skymont istemci yongalarını sunacak. Bu süre içinde DDR4 seri üretimi tırmanacak, tüm zamanların en uzun süre kullanılan bellek teknolojisi DDR3 ise yavaş yavaş tarihe gömülecek.

DDR4 belleklerdeki yenilikler, sunucu, laptop, masaüstü, tüketici elektroniği gibi çok çeşitli cihazlarda kullanılabilecek teknolojileri barındırıyor. DDR4 voltajlarının yol haritasına göre VDDQ (basitçe çıkış voltajı) sabiti 1.2V seviyesinde kalacak ve gelecekte VDD (giriş voltajı) değerinin düşürülmesine olanak tanınacak. PPD (pin başına veri) transfer hızı zamanla 1.6 GT/sn seviyesine yükselecek ve 3.2GT/sn hedefine doğru artacak.

DDR4 teknolojisinde bellek altsistemlerinde her kanal yalnızca bir modüle destek verecek. Sonuç olarak mümkün olan en yüksek bellek kapasitesi için DRAM üreticileri TSV (dikine yerleştirilen ve birbirine doğrudan temas eden silikon katmanlarla daha hızlı iletişim kuran yonga teknolojisi) kullanacaklar.Sunucularda ise yukarıda bahsettiğimiz her modüle bir kanal sınırlandırmasını kaldırmak için özel anahtarlar kullanılacak.



Alıntıdır.Kaynak: hARDWAREMANIA
 

Forum istatistikleri

Konular
128,126
Mesajlar
915,254
Kullanıcılar
449,841
Son üye
nazoyata

Yeni konular

Geri
Üst